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J-GLOBAL ID：201102256939464802   整理番号：11A0806223

ベンゾビスチアジアゾールおよびチエノチアジアゾール中央ユニットを含む低バンドギャップ共役小分子 バルクヘテロ接合太陽電池のための合成と利用

Low band gap conjugated small molecules containing benzobisthiadiazole and thienothiadiazole central units: synthesis and application for bulk heterojunction solar cells

著者 (6件)： MIKROYANNIDIS J. A. (Univ. Patras, Patras, GRC) ,  TSAGKOURNOS D. V. (Univ. Patras, Patras, GRC) ,  SHARMA S. S. (Government Engineering Coll. Women, Rajasthan, IND) ,  VIJAY Y. K. (Univ. Rajasthan, Rajasthan, IND) ,  SHARMA G. D. (JNV Univ., Rajasthan, IND) ,  SHARMA G. D. (Jaipur Engineering Coll., Rajasthan, IND)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 21  号： 12  ページ： 4679-4688  発行年： 2011年03月28日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特異な共役低バンドギャップを持つ小分子(SM:M1,M2)を合成した。これらの小分子は両端にシアノビニレン4-ニトロフェニル末端を持ち,チオフェン環を通じて中央ユニットであるベンゾビスチアジアゾールあるいはチエノチアジアゾールと結合する。591~643nmに長波長の吸収バンドを持ち,光学バンドギャップは1.6eV程度とポリ3-ヘキシルチオフェン(P3HT)よりも低い。これら二つのSMをバルクヘテロ接合有機光起電素子を構成するための電子供与体として用いた。ここで電子受容体としては[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルエステル(PCBM)あるいはPCBMで修飾したフラーレン(F)(Adv.Funct.Mater.Vol.21,p.746-(2011))を用いた。電力変換効率(PCE)はM1:PCBM,M1:F,M2:PCBM,およびM2:Fでそれぞれ1.05%,2.02%,1.23%,2.72%であった。M2の高いPCEは,その高い正孔移動度に由来する。またFとの組合わせによる高いPCEは,可視領域におけるFの強い吸収によるものであり,またFの高いLUMOレベルによるものである。混合溶媒からのキャスト膜によるM2:F素子を調製したところ,キャストおよび熱アニールによるM2:Fバルクヘテロ接合素子のPCEはそれぞれ3.34および3.65%であった。

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  *共役 ,  *分子 ,  *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  吸収バンド ,  光起電素子 ,  *電子 ,  *ドナー ,  アクセプタ ,  電力変換 ,  効率 ,  正孔 ,  キャリア移動度 ,  LUMO ,  フラーレン
準シソーラス用語： *バルクヘテロ接合 ,  PCBM

分類 (2件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (2件)： 3,3′-[5,6-[1,3-ジアザ-2-チア(IV)プロパジエン-1,3-ジイル]-2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジイルビス(チオフェン-5,2-ジイル)]ビス[2-(4-ニトロフェニル)アクリロニトリル] ,  3,3′-[3,4-[1,3-ジアザ-2-チア(IV)プロパジエン-1,3-ジイル]-2,5-チオフェンジイルビス(チオフェン-5,2-ジイル)]ビス[2-(4-ニトロフェニル)アクリロニトリル]

タイトルに関連する用語 (4件)： バンドギャップ ,  共役 ,  小分子 ,  バルクヘテロ接合太陽電池