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J-GLOBAL ID：201102257174653691   整理番号：11A0111777

各種基板上SmBCO薄膜の微細構造と磁束ピンニング特性

著者 (9件)： 吉田隆 (名古屋大) ,  一野祐亮 (名古屋大) ,  高橋祐也 (名古屋大) ,  高橋駿介 (名古屋大) ,  高井吉明 (名古屋大) ,  吉積正晃 (ISTEC-SRL) ,  和泉輝郎 (ISTEC-SRL) ,  塩原融 (ISTEC-SRL) ,  加藤丈晴 (JFCC)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会研究発表会講演概要集)
巻： 83rd  ページ： 249  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 最近,IBAD基板上超伝導線材は,長尺化や高特性化など,研究開発の進展がめざましい。我々は,これまで得られてきた単結晶基板上のREBCO薄膜の技術を元に,金属基板上の結晶配向性や磁場中超伝導特性,さらに微細組織を検討した。本研究ではIBAD基板上SmBCO線材およびLAO単結晶基板上SmBCO膜の磁場中角度依存性と微細構造に着目して磁束ピンニング特性に関して検討した。特にTEM-EDX組成マッピングによりSm-richな微細な領域とJcの磁場中角度依存性のピークに相関関係が確認された。IBAD基板上SmBCO厚膜線材の結果なども含めて発表する予定である。(著者抄録)

シソーラス用語： *サマリウム化合物 ,  *バリウム化合物 ,  *金属酸化物 ,  *銅化合物 ,  *微細構造 ,  *磁束ピン止め ,  超伝導線 ,  酸化イットリウム ,  ハステロイ ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  *臨界電流密度 ,  角度依存性 ,  *外部磁場 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  イオンビーム蒸着 ,  レーザ蒸着 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： IBAD法 ,  PLD法 ,  *SmBCO

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： SmBCO ,  薄膜 ,  微細構造 ,  磁束ピンニング