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J-GLOBAL ID：201102257420710756   整理番号：11A1040707

3D-NonFAR: 相変化メモリを使用いた次元非揮発性FPGAアーキテクチャ

3D-NonFAR: Three-Dimensional Non-Volatile FPGA ARchitecture Using Phase Change Memory

著者 (3件)： CHEN Yibo (Pennsylvania State Univ., PA) ,  ZHAO Jishen (Pennsylvania State Univ., PA) ,  XIE Yuan (Pennsylvania State Univ., PA)
資料名： Proceedings of the International Symposium on Low Power Electronics and Design  (Proceedings of the International Symposium on Low Power Electronics and Design)
巻： 16th  ページ： 55-60  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1317A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化に基づいた相変化メモリ(PCM)と3次元ダイ・スタック手法を用いる3次元非揮発性FPGAアーキテクチャ(3D-NonFAR)を提案した。FPGA基本構造を非揮発性PCMセルで刷新し,専有面積効率のよい2層のスタックとした。新アーキテクチャの論理密度,遅延,及び消費電力の改善度を定量的に求め,また熱及び信頼性問題を検討した。評価の結果,提案した3D-NonFARは他のFPGAに比べて専有面積が小さく,高性能で,消費電力が少ないことが明らかになった。

シソーラス用語： *FPGA ,  *ゲートアレイ ,  *不揮発性メモリ ,  立体構造 ,  積層構造 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *相変化メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  相変化メモリ ,  次元 ,  非揮発性 ,  FPGA ,  アーキテクチャ