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J-GLOBAL ID：201102257574394431   整理番号：11A1179142

シリコン薄膜トランジスタのためのSiH₂Cl₂とH₂混合物ののrf PE-CVDによる微結晶シリコンフィルムにおける優先結晶方位の決定因子

Determining Factor of the Preferential crystal Orientation in the Microcrystalline Silicon films by rf PE-CVD of a SiH₂Cl₂ and H₂ Mixture for Silicon Thin-Film Transistors

著者 (4件)： TANG Zeguo (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  OHBA Daisuke (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  KOSHINO Hideto (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  SHIRAI Hajime (Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops  (Proceedings of the International Display Workshops)
巻： 17th  号： Vol.2  ページ： 727-730  発行年： 2010年 
JST資料番号： L4269A  ISSN： 1883-2490  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ケイ素 ,  *結晶方位 ,  プラズマCVD ,  水素化 ,  液晶ディスプレイ ,  太陽電池
準シソーラス用語： PECVD ,  *決定因子 ,  薄膜太陽電池 ,  *微結晶シリコン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  SiH2Cl2 ,  H2 ,  混合物 ,  RF ,  微結晶シリコン ,  フィルム ,  優先 ,  結晶方位 ,  決定因子