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J-GLOBAL ID：201102257591915364   整理番号：11A1582120

MOVPEにより成長させたGa(NAsP)/GaP量子井戸レーザの物理的性質

Physical properties of Ga(NAsP)/GaP QW lasers grown by MOVPE

著者 (8件)： HOSSAIN Nadir (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  JIN Shirong R. (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  SWEENEY Stephen J. (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  LIEBICH Sven (Philipps-Univ., Marburg, DEU) ,  REINHARD Stefan (Philipps-Univ., Marburg, DEU) ,  VOLZ Kerstin (Philipps-Univ., Marburg, DEU) ,  KUNERT Bernardette (NAsP III/V GmbH, Marburg, DEU) ,  STOLZ Wolfgang (Philipps-Univ., Marburg, DEU)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 23rd  ページ： 65-66  発行年： 2010年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい直接バンドギャップGa(NAsP)/GaP量子井戸レーザの低閾値電流密度での室温動作を初めて報告する。試料はGaP基板上にMOVPEにより成長させた。キャリア漏れ過程はレーザ閾値電流の温度依存性を支配することが分かった。高圧と低温の技術を用いて,異なるキャリア再結合過程がレーザ特性を支配する程度を調べた。温度依存性と無放射過程を調べた。圧力が規格化閾値電流に及ぼす影響を図示した。

シソーラス用語： MOCVD ,  *量子井戸レーザ ,  リン化ガリウム ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  電流 ,  温度依存性 ,  *半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  *電流密度 ,  キャリア ,  圧力効果
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,  閾値電流

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  成長 ,  Ga ,  GAP ,  量子井戸レーザ ,  物理的性質