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J-GLOBAL ID：201102257766897321   整理番号：11A0601446

スラリーコートCdSeTe膜の特性

Characteristics of slurry coated CdSeTe films

著者 (1件)： MURALI K.r. (Electrochemical Materials Sci. Div., Central Electrochemical Res. Inst., Karaikudi 630 006, IND)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 3  ページ： 193-198  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 研究室で合成したCdSe_xTe_1-x粉末を用いたスラリーコーティング法によってCdSe_xTe_1-x膜を堆積させた。X線回折研究により,六方相が形成されたことを指摘した。EDAX組成解析により,この膜内のSeおよびTeの個別の濃度を推定した。光学的データの解析により,x値が0から1に変化すると共にバンドギャップが1.44eVから1.68eVに変化することを指摘した。この膜についてXPS解析も行った。この膜は多硫化物電解質における光陽極として使用され,CdSe_0.6Te_0.4の組成の膜は最大の光活性を示すことを観測した。Mott-Schottkyプロットによりn型挙動を示すことを指摘した。分光感度測定を行い,この電極は0.6の量子効率を示した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： スラリー ,  *カドミウム化合物 ,  *セレン化合物 ,  *テルル化合物 ,  光電気化学 ,  *半導体薄膜 ,  X線回折 ,  六方晶系 ,  化学組成 ,  特性曲線 ,  バンドギャップ ,  データ解析 ,  多硫化物 ,  アノード ,  活性化 ,  反射スペクトル ,  量子効率
準シソーラス用語： 組成分析 ,  光活性化 ,  Mott-Schottkyプロット

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： スラリー ,  コート