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J-GLOBAL ID：201102258437651580   整理番号：11A0164067

CMOS適合フォトニクスのためのGe-SiGe量子閉込めStark効果電界吸収ヘテロ構造の設計

Design of Ge-SiGe Quantum-Confined Stark Effect Electroabsorption Heterostructures for CMOS Compatible Photonics

著者 (5件)： LEVER Leon (Univ. Leeds, Leeds, GBR) ,  IKONIC Zoran (Univ. Leeds, Leeds, GBR) ,  VALAVANIS Alex (Univ. Leeds, Leeds, GBR) ,  COOPER Jonathan D. (Univ. Leeds, Leeds, GBR) ,  KELSALL Robert W. (Univ. Leeds, Leeds, GBR)
資料名： Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)
巻： 28  号： 21-24  ページ： 3273-3281  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： H0922A  ISSN： 0733-8724  CODEN： JLTEDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSと適合しモノリシック集積可能な変調器デバイスが望まれており,量子閉込めStark効果(QCSE)の利用が検討されている。ここでは,Ge-SiGe多重量子井戸(MQW)ヘテロ構造の吸収スペクトルを計算するための6x6kpと1バンドの組合せ有効質量モデルを示した。このシミュレーション・ツールを用いて,エピタキシャル成長による歪を利用したSiGe仮想基板上のGe-SiGe量子井戸構造が1310nmと1550nmのスペクトル窓を目指していることを確認した。これらのMQWヘテロ構造に基づいた導波路集積化デバイスの予想される性能を解析した。その結果,データレート40Gb/sで動作でき,専有面積が100μm²以下で消費電力が100fJ/bit程度の小型デバイスが期待できることを明らかにした。

シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス ,  量子閉込め ,  Stark効果 ,  *多重量子井戸 ,  *光変調素子
準シソーラス用語： SiGe ,  *シリコンフォトニクス ,  モノリシック集積回路 ,  *電界吸収型光変調器 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (8件)： CMOS ,  フォトニクス ,  Ge ,  SiGe ,  量子閉込めStark効果 ,  電界吸収 ,  ヘテロ構造 ,  設計