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J-GLOBAL ID：201102258631370443   整理番号：11A0900243

集積CMOS温度センサの製作と試験

Achievement and Test on the Integrated CMOS Temperature Sensor

著者 (3件)： CAO Xinliang (School of automation Information Engineering,Xi’an Univ. of Technol., Shaanxi, Xi’an) ,  YU Ningmei (School of automation Information Engineering,Xi’an Univ. of Technol., Shaanxi, Xi’an) ,  WEI Qinxiao (School of automation Information Engineering,Xi’an Univ. of Technol., Shaanxi, Xi’an)
資料名： Chuangan Jishu Xuebao  (Chuangan Jishu Xuebao)
巻： 23  号： 1  ページ： 38-42  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2450A  ISSN： 1004-1699  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 一般CMOSプロセスと同等の集積回路温度センサを,温度が変化したときの,MOSトランジスタにおける閾値電圧と担体移動度との関係に基づいて設計した。0.35μm特許ファイルを用いて,この温度センサの回路図とレイアウトをCadenceによって設計し,Cadence Spectreによってシミュレーションを行った。タップで取り出し試験後の,試験とシミュレーションとの比較結果は,温度が25°C~105°Cの間で変化するとき,出力周波数の変動範囲が10.19~5.81MHzであり,良好な線形性が存在することを示した。この温度センサは,オンチップシステムの温度監視,熱警報,および発振器周波数変動補償に,極めて重要である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *集積回路 ,  *半導体 ,  *温度センサ ,  半導体プロセス ,  MOSFET ,  電圧 ,  キャリア移動度 ,  計算機シミュレーション ,  周波数変動 ,  超小形回路技術 ,  中国西北部 ,  *CMOS
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  MOSトランジスタ ,  オンチップ ,  担体移動度 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 集積 ,  CMOS ,  温度センサ ,  製作 ,  試験