文献

J-GLOBAL ID：201102259128858001   整理番号：11A1344771

従来のp型非晶質炭化ケイ素の代わりにウィンドウ層として酸化モリブデンを用いた高効率非晶質シリコン太陽電池に向けて

Towards a high efficiency amorphous silicon solar cell using molybdenum oxide as a window layer instead of conventional p-type amorphous silicon carbide

著者 (6件)： IL PARK Sang (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  JAE BAIK Seung (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  IM Jong-san (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  FANG Liang (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  JEON Jin-wan (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  SU LIM Koeng (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 6  ページ： 063504  発行年： 2011年08月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸発酸化モリブデン(MoO₃)膜を,従来のp型水素化非晶質炭化ケイ素(p-a-SiC:H)膜の代わりに,水素化非晶質シリコン(a-Si:H)太陽電池のウィンドウ層として用いた。短絡回路電流密度(J_SC)及び曲線因子は,広いバンドギャップ及びMoO₃膜の高い伝導率により増加した。結果として,作製したMoO₃太陽電池の変換効率は,代表的なa-Si:H太陽電池(5.97%)に較べて,6.21%まで向上した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 水素化 ,  非晶質 ,  *酸化モリブデン ,  *短絡電流 ,  パラメータ ,  バンドギャップ ,  電気伝導率
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  *曲線因子 ,  変換効率

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非晶質 ,  炭化ケイ素 ,  ウィンドウ ,  酸化モリブデン ,  高効率 ,  非晶質シリコン ,  太陽電池