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J-GLOBAL ID：201102259387184671   整理番号：11A0729202

グラフェンフィールド効果トランジスタ 電気化学的ゲーティング,界面容量,バイオセンシング用途

Graphene Field-Effect Transistors: Electrochemical Gating, Interfacial Capacitance, and Biosensing Applications

著者 (4件)： CHEN Fang (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  QING Quan (Harvard Univ., MA, USA) ,  XIA Jilin (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  TAO Nongjian (Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名： Chemistry. Asian Journal  (Chemistry. Asian Journal)
巻： 5  号： 10  ページ： 2144-2153  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1856A  ISSN： 1861-4728  CODEN： CAAJBI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンデバイスの一つとしてグラフェンシートをソースおよびドレイン電極につなぎ二電極間の電流が支持体の背面(バックゲート)またはグラフェンシートトップ(電気化学的ゲート)に位置したゲート電極で制御されるFETを開発した。グラフェンFETは両極性で,電荷キャリヤはゲート電圧の極性により電子または正孔に変化し,キャリア移動度はシリコンエレクトロニクスより高く,高周波エレクトロニクス用途が期待される。グラフェンはSWCNTですべての炭素原子が表面原子であり,FET配置は化学およびバイオセンサ用途にも適する。電気化学的ゲーティングにおいて電圧はグラフェンと溶液に浸された基準電極間に印加され,静電相互作用で対イオン層がグラフェン表面近傍に形成されて誘電層となる。イオン濃度が高い溶液ではゲート電圧は大部分極薄二重層で低下し,界面容量が増加してグラフェンの量子容量に近くなる。高密度エネルギー貯蔵への用途を期待できる。

シソーラス用語： *単一層 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  バイオセンサ ,  化学センサ ,  界面 ,  静電容量 ,  エネルギー貯蔵 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： キャパシタンス ,  ゲーティング ,  フィールド効果トランジスタ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： グラフェン ,  フィールド効果トランジスタ ,  電気化学 ,  ゲーティング ,  界面 ,  バイオセンシング ,  用途