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J-GLOBAL ID：201102259514940804   整理番号：11A1110449

プラズマ化学気相蒸着による低圧での水素化非晶質炭素及び炭窒化物膜の合成

Hydrogenated amorphous carbon and carbon nitride films deposited at low pressure by plasma enhanced chemical vapor deposition

著者 (3件)： MIYAJIMA Y. ,  HENLEY S.j. ,  SILVA S.r.p.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 519  号： 19  ページ： 6374-6380  発行年： 2011年07月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メタン,アルゴン希釈メタン,及び窒素希釈メタンから,26.7Pa,13.56MHzの高周波電源によるプラズマ化学気相成長法によって,水素化非晶質炭素(a-CH)薄膜を合成した。この圧力域においては,駆動電極と接地電極に配置された基板への輸送中に,プラズマ相内において炭素種の多重散乱が期待される。これらの薄膜を紫外可視光透過率,偏光解析法,Raman分光法及び電流-電圧測定によって分析した。これらの結果から,プラズマ条件の影響及び入力電力の負の自己バイアスを通じた効果的な炭素種の流動が合成工程において重要であることがわかった。欠陥密度及び薄膜の品質が改善するので,より高圧域での成長条件は低エネルギー炭素種からのa-C:H薄膜の合成に重要である。さらに,a-C:H:N薄膜の成長条件に関する窒素の効果も認められる。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 窒化物 ,  キャラクタリゼーション ,  Ramanスペクトル ,  *炭素化合物 ,  屈折率 ,  光学ギャップ ,  非晶質 ,  多重散乱 ,  *プラズマCVD ,  蒸着膜 ,  水素化物

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ化学 ,  気相蒸着 ,  低圧 ,  水素化 ,  非晶質炭素 ,  炭 ,  窒化物膜