文献

J-GLOBAL ID：201102259553222218   整理番号：11A0102145

高性能ZnOナノロッド歪み駆動トランジスタベース相補型金属-酸化物-半導体論理ゲート

High performance ZnO nanorod strain driving transistor based complementary metal-oxide-semiconductor logic gates

著者 (8件)： LIU Nishuang (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education ...) ,  FANG Guojia (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education ...) ,  ZENG Wei (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education ...) ,  ZHOU Hai (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education ...) ,  LONG Hao (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education ...) ,  ZOU Xiao (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education ...) ,  LIU Yuping (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education ...) ,  ZHAO Xingzhong (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 24  ページ： 243504  発行年： 2010年12月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10⁷スケール”オン”-”オフ”比をもつZnOナノロッド歪み駆動トランジスタ(SDT)を,単一ステップ水熱反応により,Kapton基板上に作製した。トランジスタを,ZnOブリッジナノロッド間の接触面積の変化のみならず,圧電効果により誘起されるショットキ障壁における変化による歪みにより駆動した。基板のトップ及びボトム表面上の二つのSDTを利用することにより,良好な整流挙動をもつインバータ,NAND,NOR,XOR,MUX,及びDEMUXのようないくつかの論理動作を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  *歪 ,  化学反応 ,  基板 ,  Schottky障壁
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  水熱反応 ,  Kapton基板 ,  論理ゲート

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  ZnOナノロッド ,  歪み ,  駆動トランジスタ ,  酸化物 ,  論理ゲート