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J-GLOBAL ID：201102259792524714   整理番号：11A0545539

硫黄膜を用いたスイッチング・メモリー現象

著者 (3件)： 今村祥典 (東海大) ,  片平裕己 (東海大) ,  広瀬洋一 (東海大)
資料名： 東海大学紀要 工学部  (Proceedings of the School of Engineering of Tokai University)
巻： 50  号： 1  ページ： 15-22  発行年： 2010年09月30日 
JST資料番号： G0655A  ISSN： 0563-6787  CODEN： TDKIB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者らは,これまでにデバイスの電気抵抗の変化(高抵抗と低抵抗)を「0」,「1」とした新しいメモリーデバイスの研究を報告した。今回,100%の硫黄膜だけでも同様のメモリー効果が期待できるのではないかと考え,硫黄の膜を物理蒸着法で作成し,Ag電極を付け,電圧を印加したところ,スイッチングとメモリー現象を確認した。この結果を利用して,安価な絶縁材料である硫黄を膜状にし,上部電極にAgを,下部電極にMoを用い,Ag-硫黄膜-Moの3層構造を持つ2端子の不揮発性メモリーデバイスを製作した。本メモリーデバイスは硫黄という安価な材料を用いており,かつ,製作方法も大変簡単である.また,メモリー特性の安定性,再現性にも優れている.実用化に向けては耐久性などの課題は残っているが,有望なメモリー材料やデバイスのーつとして可能性は高いと判断している。

シソーラス用語： *硫黄 ,  *絶縁膜 ,  *スイッチング ,  記憶効果 ,  電気抵抗 ,  銀 ,  モリブデン ,  *電極 ,  *不揮発性メモリ
準シソーラス用語： *銀電極 ,  *抵抗変化メモリ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (17件)：

• 「ポスト・フラッシュの新メモリついに量産間近」、p 71-78, 日経エレクトロニクス, 日経PB社 (2010)
• 広瀬洋一, 若林翔太, 今村祥典, 片平裕己, 田島将: 東海大学工学部紀要VoL49, No.2, p29-36(2009)
• 国立天文台編:「理科年表 平成13年」p489, 丸善 (2000)
• 化学大辞典編集委員会 編:「化学大辞典」1巻p426, 8巻p319, 共立出版 (1960)
• 麻蒔立男著:「薄膜形成の基礎第3版」p195~201, 日刊工業新聞社 (1996)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫黄 ,  スイッチング ,  メモリー ,  現象