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J-GLOBAL ID：201102260276129513   整理番号：11A0140714

GaN-SWCNTナノ複合材料の構造と電界放出特性

Structural and Field Emission Properties of GaN-SWCNT Nanocomposites

著者 (5件)： CHANDRASEKAR P. V. (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  LIM Hyunchul (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  JUNG Hyuk (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Chang Gyoun (Korea Res. Inst. Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  KIM Dojin (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 12  ページ： J415-J418  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶GaNナノ構造を,単一源分子前駆体を用いた単層カーボンナノチューブ(SWCNT)テンプレート上のGaNの単純蒸着によって製作した。合成したGaN/SWCNT複合材料の構造と電界放出特性を測定し,議論した。SWCNT表面に沿って数珠つなぎになったGaNナノ粒子は粗い表面を示した。元のSWCNTと比べて,GaN/SWCNT複合材料は,2.7V/μmの低いターンオン電界と5.2V/μmで0.25mA/cm²の高い電流密度の優れた電界放出特性を表わした。電界増強因子は,SWCNTとGaN/SWCNT複合材料でそれぞれ887と1015と計算した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *ナノ複合材料 ,  構造特性 ,  *電界放出 ,  多結晶 ,  ナノ構造 ,  前駆体 ,  型 ,  蒸着 ,  化学合成 ,  ナノ粒子 ,  粗面 ,  電流密度
準シソーラス用語： ターンオン電界

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  SWCNT ,  ナノ複合材料 ,  電界放出