文献

J-GLOBAL ID：201102261004130217   整理番号：11A1306485

ラマンマッピングと電子後方散乱回折を使用したグラフェンの合成のためのCu(111)の利点の直接の証拠

Direct evidence of advantage of Cu(111) for graphene synthesis by using Raman mapping and electron backscatter diffraction

著者 (5件)： ISHIHARA Masatou ,  KOGA Yoshinori ,  KIM Jaeho ,  TSUGAWA Kazuo ,  HASEGAWA Masataka
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 65  号： 19-20  ページ： 2864-2867  発行年： 2011年10月 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ラマンマッピングと電子後方散乱回折で,熱化学蒸着法(CVD)を使用して,グラフェンの合成のためのCu(111)表面の結晶方位の有利性を調べた。単層のグラフェン(SLG)および数層の重なりのグラフェン(FLG)の成長にとって,Cu(111)は(110)や(100)より優れていることが判明した。この結果を確認するために,Cu(111)単結晶フィルムの表面でのグラフェンの合成を試みた。ラマンマッピングで10mmx10mmの基材表面積の97%以上の上で,高品質で高一様性のSLGもしくはFLGの生成が確認された。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単一層 ,  グラファイト ,  *化学蒸着 ,  *蒸着膜 ,  銅箔 ,  *結晶方位 ,  *Ramanスペクトル ,  画像分析 ,  *電子回折 ,  後方散乱 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *電子後方散乱回折

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属の結晶構造  (BK06000V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子後方散乱回折 ,  グラフェン ,  Cu ,  利点 ,  証拠