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J-GLOBAL ID：201102261228747295   整理番号：11A0005005

HfO₂ゲート酸化物を用いたI_onが50μA/μm,サブ閾値スイングが86mV/decのIn_0.7Ga_0.3Asトンネル電界効果トランジスタ

In_0.7Ga_0.3As Tunneling Field-Effect Transistors With an I_on of 50μA/μm and a Subthreshold Swing of 86mV/dec Using HfO₂ Gate Oxide

著者 (6件)： ZHAO Han (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CHEN Y. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  WANG Y. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  ZHOU F. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  XUE F. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LEE J. (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 12  ページ： 1392-1394  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低電力応用向けに,オン電流が高くかつ最小サブ閾値スイング(SS)が小さいIII-V族トンネル電界効果トランジスタを実証した。MBE成長によるIn_0.7Ga_0.3Asトンネル接合と等価酸化膜厚1.2nmのHfO₂ゲート酸化膜を用いた。トンネルダイオードは負の微分抵抗をもつEsakiダイオード挙動を示し,伝導機構がバンド間トンネルであると確認した。オン電流やSSに対する等価酸化膜厚スケーリングと温度の影響についても考察した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  酸化ハフニウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  閾値 ,  電流 ,  膜厚 ,  トンネル接合 ,  温度依存性
準シソーラス用語： EOT ,  サブ閾値 ,  *トンネルFET ,  駆動電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： HfO2 ,  ゲート酸化物 ,  サブ閾値スイング ,  DEC ,  トンネル電界効果トランジスタ