文献

J-GLOBAL ID：201102261342195090   整理番号：11A1937931

酸化インジウムガリウム亜鉛ベース薄膜トランジスタの低温熱処理による電気的性能の向上

Enhancement in electrical performance of indium gallium zinc oxide-based thin film transistors by low temperature thermal annealing

著者 (7件)： JEON Sang-jin (Samsung Electronics, LCD Res. and Dev. 1Team, Choongnam, Tangjeong 336-840, KOR) ,  JEON Sang-jin (Information and Electronic Materials Res. Lab., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  CHANG Jong-woong (Samsung Electronics, LCD Res. and Dev. 1Team, Choongnam, Tangjeong 336-840, KOR) ,  CHOI Kwang-soo (Samsung Electronics, LCD Res. and Dev. 1Team, Choongnam, Tangjeong 336-840, KOR) ,  KAR Jyoti Prakash (Information and Electronic Materials Res. Lab., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  LEE Tae-il (Information and Electronic Materials Res. Lab., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  MYOUNG Jae-min (Information and Electronic Materials Res. Lab., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 5-6  ページ： 320-324  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性チャネル材料としてIn-Ga-Zn-O(IGZO)を用いた透明ボトムゲート薄膜トランジスタ(TFT)の特性を調べた。IGZO薄膜をDCスパッタリング技術によってSiO₂/Si基板上に蒸着した。その後,ボトムゲートTFTデバイスを,チャネル長さと幅がそれぞれ200および1000μmと規定されたIGZO薄膜上にTi/Au金属パッドを蒸着することで製造した。このデバイスのメタライゼーション後の熱処理を窒素雰囲気中において260,280および300°Cで1h実施した。280°Cで熱処理したデバイスは向上した電界効果移動度と高いオン-オフ電流比を有する良好な性質を示した。IGZO薄膜の組成変動も異なる熱処理温度で観察した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  熱処理 ,  移動度 ,  比率
準シソーラス用語： オンオフ比

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化インジウムガリウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  低温熱処理