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J-GLOBAL ID：201102261440643386   整理番号：11A0104847

超伝導体上に蒸着した多層グラフェンのトンネリング状態密度

Tunneling Density of States in Multilayer Graphene Deposited on a Superconductor

著者 (1件)： TAKANE Yositake (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 79  号： 12  ページ： 124706.1-124706.6  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導体上に蒸着した多層グラフェンにおける準粒子の励起スペクトルを,有効媒質近似下のBogoliubov-de Gennes方程式の枠組で調べた。グラフェンの下部層のみが超伝導体と直接結合し,この結合が単純なトンネリングモデルにより記述できると仮定して,N層グラフェンの励起スペクトルを近似的に決定し,上部層における低エネルギートンネリング状態密度を得た。N≧3のとき近接効果により,トンネリング状態密度に多重ギャップ構造が現れることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *超伝導体 ,  多層 ,  励起スペクトル ,  準粒子 ,  有効媒質近似 ,  方程式 ,  トンネル効果 ,  *状態密度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Bogoliubov-de Gennes方程式

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 蒸着 ,  多層グラフェン ,  トンネリング ,  状態密度