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J-GLOBAL ID：201102262163536522   整理番号：11A0436857

高密度SiH4/H-2グロー放電プラズマを用いることによる微結晶シリコン膜の成長速度の促進

High-rate growth of microcrystalline silicon films using a high-density SiH4/H-2 glow-discharge plasma

著者 (5件)： NIIKURA C ,  ITAGAKI N ,  KONDO M ,  KAWAI Y ,  MATSUDA A
資料名： THIN SOLID FILMS
巻： 457  号： 1  ページ： 84-89  発行年： 2004年 
JST資料番号： O6387A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiH4 ,  グロー放電プラズマ ,  微結晶 ,  シリコン膜 ,  成長速度 ,  促進