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J-GLOBAL ID：201102262263815054   整理番号：11A0173269

吸着水素および塩素存在下におけるシリコン表面の反応性

Reactivity of Silicon Surfaces in the Presence of Adsorbed Hydrogen and Chlorine

著者 (1件)： CAVALLOTTI Carlo (Politecnico di Milano, Milano, ITA)
資料名： Chemical Vapor Deposition  (Chemical Vapor Deposition)
巻： 16  号： 10/12  ページ： 329-335  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W0908A  ISSN： 0948-1907  CODEN： CVDEFX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化および塩素化前駆体を用いたシリコンの低温CVDプロセスにおける反応律速段階は,シリコン表面からの水素および塩化水素の脱離である。本研究は,2×1再構成Si(100)表面からの水素および塩化水素脱離反応速度を明らかにするために,これらの反応の活性化エネルギーおよびエネルギー変化を求めた。様々な寸法のシリコン(60Si原子まで)のクラスターで表面をモデル化し,B3LYP(ハイブリッド汎関数)における反応エネルギーを求め,クラスター法を単一,2重および3重励起(CCSD(T))レベルの摂動推定法と組み合わせた。本モデルから求めた4Hおよび2H経路を辿るH₂の脱離活性化エネルギー(57.4kcal mol^-1)および吸着バリアー(15.9kcal mol^-1)値は,実測値と良く一致した。またHClとH₂との反応メカニズムが異なる事もわかった。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  反応性 ,  反応速度 ,  *表面反応 ,  活性化エネルギー ,  *塩化水素 ,  *水素 ,  律速 ,  *脱離反応 ,  *化学蒸着 ,  クラスタ
準シソーラス用語： *シリコン ,  *CVD【化学蒸着】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 吸着 ,  水素 ,  塩素 ,  シリコン ,  反応性