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J-GLOBAL ID：201102262660711672   整理番号：11A0162352

YBa₂Cu₃O_x膜のピン止め中心の統合ナノ技術

Integrated nanotechnology of pinning centers in YBa₂Cu₃O_x films

著者 (11件)： MIKHEENKO P (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  DANG V-S (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  TSE Y Y (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  AWANG KECHIK M M (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  PATURI P (Univ. Turku, FIN) ,  HUHTINEN H (Univ. Turku, FIN) ,  WANG Y (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  SARKAR A (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  ABELL J S (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  CRISAN A (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  CRISAN A (National Inst. Materials Physics, Bucharest, ROM)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 23  号： 12  ページ： 125007,1-9  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいナノ構造YBa₂Cu₃O_x(YBCO)成長法で,ピン止めをほぼab面からほぼc軸に制御して変えることができた。その方法は,BaZrO₃(BZO)とAgアシストYBCOナノ細線の同期自己集合によるものである。もつれたナノ細線の形成により,臨界温度を純粋なYBCO膜の値近く保ちながら,臨界電流密度を上げることができた。ナノ細線は厚膜の厚み全体に伸びているので,この方法はcm幅当たりの全臨界電流密度(I_c-w)の増加に適している。二つの成長機構,すなわちBZOナノロッドおよびYBCOナノ円柱の生成は互いに相補的であり,コヒーレント構造を形成し,強い相関ピン止めをもつ試料を作る。I_c-wの増大に加えて,相関ピン止めは広い磁場範囲で磁束溶融温度の増大をもたらした。この方法で育成した膜は,YBCOのc軸に平行な低磁場およびab面の高磁場の両方で高いI_c-wを有した。このような超伝導体はケーブルおよび磁石応用の両方に適していよう。

シソーラス用語： *YBCO薄膜 ,  *磁束ピン止め ,  ナノテクノロジー ,  *ナノ構造 ,  ジルコニウム酸塩 ,  バリウム化合物 ,  ナノワイヤ ,  自己集合 ,  臨界温度 ,  臨界電流密度 ,  ナノロッド ,  磁束 ,  量子液体 ,  転移温度 ,  融点 ,  ケーブル ,  超伝導磁石 ,  *高温超伝導体 ,  原子間力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  角度依存性 ,  温度依存性
準シソーラス用語： ジルコニウム酸バリウム ,  ナノ細線 ,  構造機能相関 ,  磁場依存性 ,  溶融温度

分類 (2件)： 超伝導材料  (BM04041W) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (3件)： ピン止め中心 ,  統合 ,  ナノ技術