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J-GLOBAL ID：201102263230598950   整理番号：11A0885967

事例研究:ゲートポリのカウンタドーピングの調査とその高密度90nm CMOS SRAMビットセルにおける検証

A case study: Observation of counter doping of gate poly and its validation in high density 90nm CMOS SRAM Bitcell

著者 (4件)： TSANG Yuk (Freescale Semiconductor Inc., TX) ,  WANG Xiang-Dong (Freescale Semiconductor Inc., TX) ,  MENDICINO Michael (Freescale Semiconductor Inc., TX) ,  BLANKENSHIP Andrew (Freescale Semiconductor Inc., TX)
資料名： Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis  (Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis)
巻： 36th  ページ： 66-70  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0658B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度CMOSデバイスにおいては,プロセス修正のための迅速なフィードバクのため,SRAMアレイをテスト構造として使用している。シングルビットの故障が故障原因で最も多い。本稿では,歩留まりを大幅に低下させる高密度90nm CMOS SRAMビットセルアレイのプルアップPFETsの目に見えない欠陥を見つける故障解析手法について報告した。Pポリのカウンタードーピングが高い閾値電圧の原因であると疑い,走査型容量顕微鏡法(SCM)を使ってポリ中のドーパント異常を見つけるため,故障のあるPポリのプロービングを行った。そして,この予測と測定結果を検証し,マスク修正を行った。その結果から,カウンタードーピングを除いた結果,歩留まりがほぼゼロから約60%に改善された。

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  ドーピング ,  ドーパント ,  イオン注入 ,  CMOS構造 ,  SRAM ,  *故障解析 ,  電圧 ,  *走査型プローブ顕微鏡 ,  フォトマスク ,  *超LSI ,  テスト構造 ,  歩留り
準シソーラス用語： 走査型容量顕微鏡 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (11件)： 研究 ,  ゲート ,  カウンタ ,  ドーピング ,  調査 ,  高密度 ,  CMOS ,  SRAM ,  ビット ,  セル ,  検証