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J-GLOBAL ID：201102263272300454   整理番号：11A0994112

地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所 超臨界流体・イオン液体を用いた反応プロセス

著者 (3件)： 冨田大輔 (東北大 多元物質科研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究セ) ,  QIAO Kun (東北大 多元物質科研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究セ) ,  横山千昭 (東北大 多元物質科研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究セ)
資料名： Materials Integration  (Materials Integration)
巻： 24  号： 4/5  ページ： 262-266  発行年： 2011年06月01日 
JST資料番号： L0595A  ISSN： 1344-7858  CODEN： MINTFB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 先端電子デバイス用基板としてGaNのバルク材料が望まれているが現状では存在せず,ヘテロエピタキシャル成長で形成したGaN膜を利用してる。著者等の研究分野では,GaNの単結晶基板育成を目指し,その実現可能性が高いと考えられている超臨界アンモニアを用いたアモノサーマル合成の研究を進めている。本稿では,このアモノサーマルによるGaN結晶育成とイオン液体を用いた反応プロセスについて最近の研究について紹介した。前者では,このプロセスに必要な熱物性測定(超臨界アンモニアへのGaNの溶解度の測定)の結果を示した。後者では,イオン液体固定化触媒の開発,イオン液体コーティング粒子の開発およびイオン液体+CO₂系の輸送物性について示した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *溶液成長 ,  臨界 ,  溶解度 ,  イオン液体 ,  *化学反応 ,  超臨界
準シソーラス用語： *アモノサーマル法

分類 (1件)： 反応操作(単位反応)  (XE01040I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 地域 ,  世界 ,  超臨界流体 ,  イオン液体 ,  反応プロセス