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J-GLOBAL ID：201102263683870901   整理番号：11A1937942

ナノ半導体製造における二重ダマシンプロセス開発の系統的欠陥改善統合

Systematic defect improvement integration of dual damascene processes development on nano semiconductor fabrication

著者 (1件)： WENG Chun-jen (ITRI/Center for General Education, National Univ. of Tainan, Taiwan, TWN)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 5-6  ページ： 376-382  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ウェハナノテクノロジー製造プロセスのプロセス欠陥は,各半導体製造デバイスの設計および収率感受性だけでなく,欠陥の形,大きさ,および位置に依存して,しばしば製品収率に影響を与える。製造プロセス誘起欠陥の抑止をウェハ製造に付随する限界危機の評価で始めるべきである。系統的な同定と分類アプローチが,欠陥サンプリングとイメージレビューによるプロセス収率を改善するために導入された。本研究は,プロセス欠陥監視と半導体銅製造プロセスおよび技術についての統合および半導体製造プロセスに関する欠陥提言の問題のモジュールプロセス統合の包括的調査を示す。電気的デバイスの実験を,欠陥の起源を同定するために実施し,欠陥形成の機構を決定し,欠陥課題を排除するために実施される統合製造プロセスも調べている。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  欠陥 ,  改良
準シソーラス用語： ダマシンプロセス

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体製造 ,  ダマシンプロセス ,  開発 ,  系統 ,  欠陥 ,  統合