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J-GLOBAL ID：201102264696760109   整理番号：11A0922167

TFTアレイ浸食欠陥の解析

Analysis of TFT Array Erosion Defect

著者 (4件)： LI Li (Beijing BOE Optoelectronics Technol. Co. Ltd, Beijing) ,  QIN Wei (Beijing BOE Optoelectronics Technol. Co. Ltd, Beijing) ,  XUE Jian-she (Beijing BOE Optoelectronics Technol. Co. Ltd, Beijing) ,  PENG Zhi-long (Beijing BOE Optoelectronics Technol. Co. Ltd, Beijing)
資料名： Yejing yu Xianshi  (Yejing yu Xianshi)
巻： 25  号： 1  ページ： 29-33  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1519A  ISSN： 1007-2780  CODEN： YYXIFY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： TFT-LCDプロセス,特にアレイプロセス中に生じる何百もの欠陥がある。侵食アレイ金属線は,輝線または細い輝線欠陥を引き起こす可能性がある欠陥の1つである。本報告において,SEM,FIB,EDS,ならびにBO(Business Objects)およびCIM(コンピュータ統合生産)のような統計ソフトウェアによって,本典型的欠陥を解析した。結果により,主に,ゲートエッチングプロセスと多重蒸着プロセスの間に,金属層が,塩酸ガスによって侵食されたとき,欠陥が生じ,そして,酸性ガスの漏洩源を特定した。欠陥位置における突出部が,多重蒸着プロセス中の真空化時に形成した。さらに,本欠陥に対する緊急対策を議論した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *アレイ ,  *薄膜トランジスタ ,  浸食 ,  CIM【生産】 ,  ソフトウェア ,  エッチング ,  緊急対策 ,  サワーガス ,  ゲート【半導体】 ,  金属線 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】 ,  コンピュータ統合生産 ,  酸性ガス ,  EDS【分光分析】 ,  SEM【顕微鏡】

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： TFTアレイ ,  浸食 ,  欠陥 ,  解析