文献

J-GLOBAL ID：201102264733374168   整理番号：11A1582229

InGaAs自己集合量子ドットを用いた半導体光増幅器と電界吸収型変調器のモノリシック集積化

InGaAs self-assembly quantum-dot Monolithic Integration of Semiconductor Optical Amplifier and Electroabsorption modulator

著者 (7件)： LIN Chuan-Han (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  WU Jui-Pin (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  KUO Yu-zheng (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  WU Tsu-Hsiu (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHIU Yi-Jen (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  TZENG T.E. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LAY T.S. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 23rd  ページ： 285-286  発行年： 2010年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs自己集合量子ドットを用いたモノリシック集積化された半導体光増幅器(SOA)と電界吸収型変調器(EAM)を初めて実現した。300μmのEAMと375μmのSOAを集積化した素子を6Vの電圧により動作させた場合,3dBの光利得が得られた。この結果は,この集積素子は高効率変調素子として有望であることを示している。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  自己集合 ,  量子ドット ,  *半導体光増幅器 ,  *光変調素子 ,  半導体集積回路 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *電界吸収型変調器 ,  モノリシック集積回路

分類 (1件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  自己集合 ,  量子ドット ,  半導体光増幅器 ,  電界吸収型変調器 ,  モノリシック集積化