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J-GLOBAL ID：201102264908501044   整理番号：11A0486861

半金属ビスマスナノワイヤ中の電子と正孔の移動度

Electron and hole mobilities in semimetallic bismuth nanowires

著者 (6件)： LEE Kiyoung (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  LEE Seunghyun (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  HOLMES S. N. (Toshiba Res. Europe Ltd., Cambridge, GBR) ,  HAM Jinhee (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Wooyoung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  BARNES C. H. W. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 24  ページ： 245310.1-245310.6  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 半金属 ,  *ビスマス ,  *ナノワイヤ ,  *キャリア移動度 ,  *Shubnikov-de Haas効果 ,  Fourier変換 ,  *Fermi面 ,  磁気抵抗 ,  キャリア密度 ,  *ポテンシャル散乱 ,  外部磁場 ,  非調和振動

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半金属 ,  ビスマス ,  ナノワイヤ ,  電子 ,  正孔 ,  移動度