TFA-MOD法によるBZOピン導入YGdBCO線材の磁場中高I<sub>c</sub>化技術の開発(2)

高橋保夫; 中岡晃一; 高木裕司; 吉積正晃; 和泉輝郎; 塩原融; 青木伸夫; 長谷川隆代; 加藤丈晴; 平山司

文献

J-GLOBAL ID：201102265163394662 整理番号：11A1860796

TFA-MOD法によるBZOピン導入YGdBCO線材の磁場中高I_c化技術の開発(2)

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資料名：
巻： 85th ページ： 160 発行年： 2011年11月09日
JST資料番号： G0564B ISSN： 0919-5998 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

TFA-MOD法は低コストかつ高性能な超電導層を作製可能な製造プロセスとして知られており,昭和電線において500m級のYBCO線材を作製したという報告がなされている。しかしながら,MODにより作製したYBCO線材は磁場によるIc低下が比較的大きく磁場中特性の向上が必要とされてきた。我々はこれまでYGdBCOにBZOピンを導入することによって磁場中特性向上について報告しており,前回は本焼成プロセス中に中間熱処理を施すことにより約1.5μm厚でIc min=32A(77K,3T)が得られたことを報告した。本発表では厚膜化及びBZOピン濃度の適正化により,さらなる磁場中特性の向上に成功し2.3μm厚試料でIc min=41.5A(77K,3T)を得た。本研究は,イットリウム系超電導電力機器技術開発の研究として,新エネルギー産業技術開発機構(NEDO)の委託により実施したものである。(著者抄録)

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超伝導材料 , 酸化物薄膜

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TFA-MOD法によるBZOピン導入YGdBCO線材の磁場中高Ic化技術の開発(2)

TFA-MOD法によるBZOピン導入YGdBCO線材の磁場中高I_c化技術の開発(2)