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J-GLOBAL ID：201102265384142846   整理番号：11A0309247

最新低電力CMOS応用のためのHfAlONゲート誘電体膜の利点

Advantages of HfAlON gate dielectric film for advanced low power CMOS application

著者 (10件)： TORIUMI A ,  IWAMOTO K ,  OTA H ,  KADOSHIMA M ,  MIZUBAYASHI W ,  NABATAME T ,  OGAWA A ,  TOMINAGA K ,  HORIKAWA T ,  SATAKE H
資料名： MICROELECTRONIC ENGINEERING
巻： 80  ページ： 190-197  発行年： 2005年 
JST資料番号： O4682A  ISSN： 0167-9317  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  CMOS ,  応用 ,  ゲート ,  誘電体膜 ,  利点