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J-GLOBAL ID：201102265956766390   整理番号：11A1180036

先端薄型ウエハ技術による600V LPT-CSTBT^TM

600V LPT-CSTBT on Advanced Thin Wafer Technology

著者 (5件)： HARAGUCHI Yuki (Mitsubishi Electric Corp., Kumamoto, JPN) ,  HONDA Shigeto (Mitsubishi Electric Corp., Kumamoto, JPN) ,  NAKATA Kazunari (Mitsubishi Electric Corp., Kumamoto, JPN) ,  NARAZAKI Atsushi (Mitsubishi Electric Corp., Kumamoto, JPN) ,  TERASAKI Yoshiaki (Mitsubishi Electric Corp., Kumamoto, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 68-71  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の電気特性を改善するため,キャリア保存層上逆向型ドーピングプロファイルとファインセルピッチを有するCSTBT^TMと名付けた設計概念とnベース層の縮小を可能にする,軽パンチスルー(LPT)構造の応用を導入することにより,垂直キャリア分布の最適化を含む数技術を開発した。先端薄型ウエハプロセス技術を用いて作製することに成功した,LPT構造を用いた600V級CSTBT^TM素子の電気特性と機械的応力による電気特性シフトの分布について初めて述べた。LTP型素子の電気特性は,従来のパンチスルー(PI)型素子より,特に低電流密度領域で固有の低内部電位のため優れていることを示した。さらに,超小型サイズのサブチップレイアウトを用いた新規評価方法を用いることにより,半田付け付け後の素子特性への機械的応力効果を評価した。その結果から,提案したツールは,電気特性への機械的応力の影響を調べるのに有用であることを検証した。

シソーラス用語： *IGBT ,  *ウエハ【IC】 ,  *パンチスルー ,  電流密度 ,  電圧降下 ,  ターンオフ ,  結晶構造 ,  キャリア移動度 ,  *ダイボンディング ,  はんだ付 ,  *応力分布 ,  分布 ,  熱応力
準シソーラス用語： キャリア分布

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄型 ,  ウエハ