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J-GLOBAL ID：201102266648484160   整理番号：11A0340649

Siピン・フォトダイオードのイオンで生じた電荷の変位損傷による低下

Displacement damage degradation of ion-induced charge in Si pin photodiode

著者 (8件)： ONODA S ,  HIRAO T ,  LAIRD Js ,  MORI H ,  ITOH H ,  WAKASA T ,  OKAMOTO T ,  KOIZUMI Y
資料名： NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
巻： 206  ページ： 444-447  発行年： 2003年 
JST資料番号： O5033A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  フォトダイオード ,  イオン ,  電荷 ,  変位損傷