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J-GLOBAL ID：201102266751506228   整理番号：11A1161322

24nm CMOS技術による151mm² 64GB MLC NANDフラッシュメモリ

A 151mm² 64Gb MLC NAND Flash Memory in 24nm CMOS Technology

著者 (40件)： FUKUDA Koichi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  WATANABE Yoshihisa (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  MAKINO Eiichi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  KAWAKAMI Koichi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  SATO Junpei (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  TAKAGIWA Teruo (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  KANAGAWA Naoaki (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  SHIGA Hitoshi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  TOKIWA Naoya (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  SHINDO Yoshihiko (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  EDAHIRO Toshiaki (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  OGAWA Takeshi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  IWAI Makoto (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  NAGAO Osamu (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  MUSHA Junji (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  MINAMOTO Takatoshi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  YANAGIDAIRA Kosuke (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  SUZUKI Yuya (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  NAKAMURA Dai (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  HOSOMURA Yoshikazu (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  KOMAI Hiromitsu (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  FURUTA Yuka (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  MURAMOTO Mai (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  TANAKA Rieko (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  SHIKATA Go (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  YUMINAKA Ayako (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  SAKURAI Kiyofumi (Toshiba Memory Systems, Yokohama, JPN) ,  SAKAI Manabu (Sandisk, Yokohama, JPN) ,  DING Hong (Sandisk, Yokohama, JPN) ,  WATANABE Mitsuyuki (Sandisk, Yokohama, JPN) ,  KATO Yosuke (Sandisk, Yokohama, JPN) ,  MIWA Toru (Sandisk, Yokohama, JPN) ,  MAK Alex (Sandisk, CA) ,  NAKAMICHI Masaru (Sandisk, Yokohama, JPN) ,  HEMINK Gertjan (Sandisk, Yokohama, JPN) ,  LEE Dana (Sandisk, CA) ,  HIGASHITANI Masaaki (Sandisk, CA) ,  MURPHY Brian (Sandisk, CA) ,  LEI Bo (Sandisk, CA) ,  MATSUNAGA Yasuhiko (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2011  ページ： 198-199  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体ドライブ(SSD)とデータストレージサーバなど新規市場は,低ビットコスト,高プログラム/読出しスループットと低消費電力を要求している。これらの市場要求を満たすため,24nm CMOS技術により,64GB 2b/セルNANDフラッシュメモリを開発した。このチップは,8KBページサイズと2Kブロックからなる2 32Gbメモリプレーンを内蔵した。1ブロック(2MBサイズ)は,2ダミーワード線(WL)を含む64データWLと256ページから構成した。16KBまたは2プレーンを同時にプログラムした場合,14MB/sプログラムスループットを得た。これは,以前の3Xnm技術世代で報告された多レベルセル(MLC)NANDフラッシュメモリと同等かまたはより高性能であった。高速DDRインタフェースを導入し,データ伝送性能を向上した。出力アイダイアグラムの測定から,266MB/sデータ伝送速度能力を示した。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  外部記憶装置 ,  電力消費 ,  記憶容量 ,  *多値符号 ,  セル構造 ,  データ蓄積 ,  スループット ,  データ転送 ,  伝送速度 ,  アイパターン
準シソーラス用語： USBメモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS技術 ,  NANDフラッシュメモリ