文献

J-GLOBAL ID：201102266808028050   整理番号：11A0099301

InP上のMBE成長BeドープInGaAsエピ層における陰影線観察

Crosshatch observation in MBE-grown be-doped InGaAs epilayer on InP

著者 (8件)： BANDO H ,  KOSUGE M ,  BAN K ,  YOSHINO H ,  TAKAHASHI R ,  OKAMOTO H ,  OKUNO T ,  MASUMOTO Y
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 278  号： 1-4  ページ： 610-613  発行年： 2005年 
JST資料番号： O3553A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： InP ,  MBE成長 ,  Be ,  ドープ ,  InGaAs ,  エピ層 ,  陰影 ,  観察