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J-GLOBAL ID：201102267558754938   整理番号：11A1442474

反応性同時スパッタリングによるTa-N-O薄膜の微細構造および電気抵抗率における反応性ガス流量比の効果

Effect of reactive gases flow ratios on the microstructure and electrical resistivity of Ta-N-O thin films by reactive co-sputtering

著者 (3件)： CHUNG C.k. ,  CHEN T.s. ,  CHANG N.w.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 519  号： 15  ページ： 5099-5102  発行年： 2011年05月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化タンタルおよび窒化タンタルの有益な特性の組合せは,新規で機能的な酸窒化タンタル(Ta-O-N)をもたらす可能性がある。本論文において,Ta-O-N薄膜は異なる反応性ガス比で反応性マグネトロンスパッタを用いることにより形成された。全ガス流量に対する反応性ガスの比は6%から30%に制御された。Ta-O-N薄膜の微細構造,化学結合,モルフォロジーおよび抵抗率が明らかにされた。反応性ガス流量比の増加は,Ta-O-N中のO/(O+N)比を0.22から0.79に増大させる。この研究において,すべての膜は準非晶質構造であった。より高い反応性ガス流量比は,より幅広い回折ピークを有するより不規則なまたは非晶質な微細構造をもたらす。約36°の最も高い強度ピークの位置は,十分なTa-O相形成の結果,O/(O+N)比率の増加と共に,下方へシフトする。Ta-O-TaおよびTa-O伸縮振動モードに対応する500-800cm^-1のFTIR吸収バンドが観察された。800-1000cm^-1の弱い吸収バンドはタンタル亜酸化物であった。抵抗率はO/(O+N)比率の増加と共に,288μΩcm(伝導)から11,540Ωcm(半伝導-絶縁)まで増加した。窒素と比較して,Ta-O-N系の微細構造形成および抵抗率は酸素が支配している。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *タンタル化合物 ,  *酸化物 ,  *窒化物 ,  *薄膜 ,  *微細構造 ,  *電気抵抗率 ,  反応性スパッタリング ,  *比率 ,  酸化タンタル ,  化学結合 ,  モルフォロジー ,  非晶質 ,  伸縮振動 ,  FTIR分光法 ,  吸収バンド ,  窒素 ,  酸素 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： ガス ,  *酸窒化物 ,  窒化タンタル ,  *流量比

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 反応性 ,  同時スパッタリング ,  Ta ,  薄膜 ,  微細構造 ,  電気抵抗率 ,  反応性ガス ,  流量比