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J-GLOBAL ID：201102267594476049   整理番号：11A0723960

MEMSアプリケーション用Sol-Gel技術によるジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)格子における二重ドーピングの効果

Effect of Double Doping in Lead Zirconate Titanate (PZT) Lattices by Sol-Gel Technique for MEMS Applications

著者 (6件)： PANDEY S. K. (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  THAKUR O. P. (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  BHATTACHARYA D. K. (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  HARSH (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  PRAKASH Chandra (DRDO, New Delhi, IND) ,  CHATTERJEE Ratnamala (Indian Inst. Technol., New Delhi, IND)
資料名： Integrated Ferroelectrics  (Integrated Ferroelectrics)
巻： 121  ページ： 65-76  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W0539A  ISSN： 1058-4587  CODEN： IFEREU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： MEMS ,  アプリケーション ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  PZT ,  格子 ,  ドーピング