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J-GLOBAL ID：201102268609346127   整理番号：11A0004878

可視から遠赤外線への酸化インジウムスズ薄膜の周波数依存複素伝導度と誘電応答

Frequency-Dependent Complex Conductivities and Dielectric Responses of Indium Tin Oxide Thin Films from the Visible to the Far-Infrared

著者 (8件)： CHEN Ching-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Yen-Cheng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Chia-Hua (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YU Peichen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHIEH Jia-Min (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHIEH Jia-Min (National Nano Devices Lab., Hsinchu, TWN) ,  PAN Ci-Ling (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  PAN Ci-Ling (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 46  号： 11-12  ページ： 1746-1754  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テラヘルツ時間領域分光法(THz-TDS)を,酸化インジウムスズ(ITO)薄膜の光学,誘電性,および電気特性の研究に利用した。Drude自由電子モデルにより,データを満足できるようフィットできた。189,483,および962の3つの異なる厚さをもつサンプルに対して,プラズマ周波数は1590~1930rad・THzであり,さらに,散乱時間は6~7fsの範囲であることを実証した。このサンプルのモビリティとキャリア濃度は,それぞれ,32.7~34.2cm²V^-1s^-1と2.79-4.10×10²⁰cm^-3であった。このTHz-TDSから導かれた電気特性は,従来のHall計測とFTIR反射分光学により決定されたものとよく一致した。

シソーラス用語： *可視光 ,  *遠赤外線 ,  *酸化インジウムスズ ,  薄膜 ,  *周波数依存性 ,  *応答 ,  電気伝導率 ,  タイムドメイン分光法 ,  固体論 ,  周波数 ,  移動度 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： Drude理論 ,  テラヘルツ時間領域分光法 ,  プラズマ周波数 ,  モビリティ ,  電導度 ,  *誘電応答

分類 (2件)： 誘電体測定技術・装置  (BM05020Q) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 遠赤外線 ,  酸化インジウムスズ ,  薄膜 ,  周波数依存 ,  複素伝導度 ,  誘電応答