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J-GLOBAL ID：201102269342668215   整理番号：11A0146649

微細化ディジタルCMOS技術によって変わるRF/アナログ回路設計

RF/Analog Circuit Design in Scaled Digital CMOS Technology

著者 (2件)： 桝井昇一 (東北大学 電気通信研究所) ,  小西貴之 (東北大学 電気通信研究所)
資料名： 電気学会誌  (電気学会雑誌)
巻： 131  号： 1  ページ： 30-33 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： F0011A  ISSN： 1340-5551  CODEN： DGZAAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 微細化に伴うRF/アナログ回路の性能を支配する要因を明確にし,大幅な性能向上を目的として近年大きな注目を浴びているDigital-Assist技術について,その基本的な原理と,A/D変換器,及び無線システム用SoCへの応用について解説した。CMOS集積回路の性能は,ディジタル・RF/アナログ両回路とも消費電力と遅延の積である消費エネルギーをFigure of Merit(FoM)として比較評価できる。微細化テクノロジーを用いたRF/アナログ回路設計において,FoMの制約要因を明らかにし,微細化に適したディジタル回路でこの制約を克服するDigital-Assist技術を紹介した。

シソーラス用語： 半導体集積回路 ,  *CMOS構造 ,  *アナログ回路 ,  *電気回路 ,  *回路設計 ,  精密化
準シソーラス用語： *RF回路

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電子回路一般  (NC05010N)

引用文献 (9件)：

• INGELS, M. A 5 mm^2 40 nm LP CMOS 0.1-to-3 GHz Multistandard Transceiver. IEEE ISSCC Dig. Tech. papers, 2010. 2010, 458-459
• MURMANN, B. Digitally Assisted Pipeline ADCs-Theory and Implementation-. 2004
• UYTTENHOVE, K. Speed-Power-Accuracy Tradeoff in High-Speed CMOS ADCs. IEEE Trans. On Circuits and Systems-II. 2002, 49, 4, 280-287
• PELGROM, M. Matching Properties of MOS Transistors. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1989, 24, 5, 1433-1439
• STASZEWSKI, B. Fundamentals of Digitally-Assisted RF. IEEE ISSCC Tutorial, 2009. 2009

タイトルに関連する用語 (5件)： 微細化 ,  ディジタル ,  CMOS技術 ,  RF ,  アナログ回路設計