Mnドープした半導体BaTiO<sub>3</sub>セラミックスの正抵抗温度係数特性に及ぼすTi/Ba比の影響

PU Yongping; CHEN Xiaolong; XU Ning; WU Haidong; ZHAO Xin

文献

J-GLOBAL ID：201102269855017350 整理番号：11A0174218

Mnドープした半導体BaTiO₃セラミックスの正抵抗温度係数特性に及ぼすTi/Ba比の影響

Influence of Ti/Ba Ratio on the Positive Temperature Coefficient Resistance Characteristics of Mn-doped Semiconducting BaTiO₃ Ceramics

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資料名：
巻： 403 ページ： 689-694 発行年： 2010年08月
JST資料番号： D0777A ISSN： 0015-0193 CODEN： FEROA8 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

BaTiO₃セラミックスはその正抵抗温度係数(PTCR)特性により電子素子に広く利用されている。(Ba_0.997La_0.003)(Ti_x-yMn_y)(x=0.97~1.02,y=0.0003~0.0008)半導体セラミックスについて調べた。結晶粒径はA/Bモル比に強く依存した。還元雰囲気中で焼成し,850°C空気中で再酸化させたセラミックスは優れたPTCR特性を示した。(Ti+Mn/Ba+La)=1.01のセラミックスは電気抵抗率が三桁跳躍した顕著なPTCR特性を示した。

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強誘電体,反強誘電体,強弾性

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Mnドープした半導体BaTiO3セラミックスの正抵抗温度係数特性に及ぼすTi/Ba比の影響

Mnドープした半導体BaTiO₃セラミックスの正抵抗温度係数特性に及ぼすTi/Ba比の影響