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J-GLOBAL ID：201102270125345554   整理番号：11A0727338

単層MoS₂トランジスタ

Single-layer MoS₂ transistors

著者 (5件)： RADISAVLJEVIC B. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE) ,  RADENOVIC A. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE) ,  BRIVIO J. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE) ,  GIACOMETTI V. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE) ,  KIS A. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 6  号： 3  ページ： 147-150  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層,二次元半導体MoS₂を導電チャネルとし,HfO₂をゲート絶縁膜としたFETを製作した。この導電チャネルの厚みはわずか6.5Åである。このFETは室温電流オンオフ比が1×10⁸以上で,移動度は~200cm²V^-1s^-1であった。これは薄膜シリコンやグラフェンナノリボンと同等である。このようなFETは,MoS₂トランジスタを絶縁窒化ボロン基板上に製作して次世代電子デバイスを製作することが期待できる。また,単層MoS₂は,オプトエレクトロニクスやエネルギーハーベスティングのような薄膜透明半導体で必要なアプリケーションで,グラフェンを補完する可能性がある。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  薄膜 ,  単原子層 ,  酸化ハフニウム ,  酸化膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *キャリア移動度 ,  薄膜トランジスタ ,  単一層 ,  グラファイト ,  グラフェン ,  ゲート絶縁膜 ,  単層膜 ,  硫化モリブデン(IV) ,  化成皮膜
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  二硫化モリブデン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層 ,  MoS2 ,  トランジスタ