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J-GLOBAL ID：201102270327420485   整理番号：11A0122775

p-GaN層上のZnOナノワイヤ発光アレイからの低温エレクトロルミネセンスの特性評価

Characterizations of low-temperature electroluminescence from ZnO nanowire light-emitting arrays on the p-GaN layer

著者 (10件)： LU Tzu-chun ,  KE Min-yung ,  YANG Sheng-chieh ,  CHENG Yun-wei ,  CHEN Liang-yi ,  LIN Guan-jhong ,  LU Yu-hsin ,  HE Jr-hau ,  KUO Hao-chung ,  HUANG Jianjang
資料名： Optics Letters  (Optics Letters)
巻： 35  号： 24  ページ： 4109  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOナノワイヤ発光アレイからの低温エレクトロルミネセンスについて報告した。薄いMgO電流ブロック層をZnOナノワイヤとp-GaNとの間に挿入することによって,398nmにおける高い純度の紫外光発光が得られた。典型的なGaNベースの発光ダイオードに反して,著者らの素子は,温度低下に伴って,光出力強度の減少を示した。諸結果は,様々なキャリアトンネル過程と凍結MgO欠陥と関連している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *ナノワイヤ ,  キャラクタリゼーション ,  酸化亜鉛 ,  *エレクトロルミネセンス ,  トンネル効果 ,  半導体薄膜 ,  絶縁膜 ,  窒化ガリウム ,  P型半導体 ,  量子井戸 ,  アレイ
準シソーラス用語： GaN ,  ZnO ,  トンネリング ,  紫外光LED ,  絶縁薄膜 ,  特性評価 ,  発光ダイオードアレイ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnOナノワイヤ ,  発光アレイ ,  低温 ,  エレクトロルミネセンス ,  特性評価