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J-GLOBAL ID：201102270634260630   整理番号：11A0727340

フレキシブル高性能カーボンナノチューブ集積回路

Flexible high-performance carbon nanotube integrated circuits

著者 (8件)： SUN Dong-Ming (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TIMMERMANS Marina Y. (Aalto Univ., FIN) ,  TIAN Ying (Aalto Univ., FIN) ,  NASIBULIN Albert G. (Aalto Univ., FIN) ,  KAUPPINEN Esko I. (Aalto Univ., FIN) ,  KISHIMOTO Shigeru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI Takashi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Yutaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 6  号： 3  ページ： 156-161  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ薄膜トランジスタは,高性能,フレキシブル,透明デバイスの製作を可能にするものとして期待されている。しかし,材料中の金属性と半導体性ナノチューブの分離が難しい。本稿では,単純なフローティング触媒化学蒸着に続く気相フィルタリングと変換プロセスを使って,高性能薄膜トランジスタとフレキシブル透明基板を製作する方法について報告した。製作したナノチューブネットワークはよく制御された密度とユニークなモフォロジーを示した。トランジスタは,移動度35cm²V^-1s^-1とオンオフ比6×10⁶を示した。また,21ステージリング発振器とマスタスレーブ遅延フリップフロップを含むフレキシブル集積回路を製作した。

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  カーボンナノチューブ ,  *フレキシブル基板 ,  薄膜トランジスタ ,  *化学蒸着 ,  モルフォロジー ,  キャリア移動度 ,  電流 ,  リング発振器 ,  双安定回路 ,  集積回路 ,  触媒
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  *カーボンナノチューブFET ,  フリップフロップ回路 ,  *フレキシブル回路

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  カーボンナノチューブ ,  集積回路