文献

J-GLOBAL ID：201102270907303877   整理番号：11A1054155

電気化学法による多孔性シリカでのAg析出形態と均一性

Ag Deposition Forms and Uniformity on Porous Silicon by Electrochemical Method

著者 (5件)： Song Xiaolan (School of Minerals Processing and Bioengineering, Central South Univ., Changsha) ,  Xu Dayu (Zhengzhou Res. Inst. of Chalco, Zhengzhou) ,  Yang Haiping (School of Metallurgical Sci. and Engineering, Central South Univ., Changsha) ,  Yu Zhenxing (School of Minerals Processing and Bioengineering, Central South Univ., Changsha) ,  Qiu Guanzhou (School of Minerals Processing and Bioengineering, Central South Univ., Changsha)
資料名： Chinese Journal of Chemical Physics  (Chinese Journal of Chemical Physics)
巻： 23  号： 2  ページ： 211-216  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2010A  ISSN： 1674-0068  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔性シリカ(PS)の光ルミネセンス特性を改良するために,電気化学的析出法を用いたAg析出によりPS表面を不動態化した。Ag析出形態と電流密度関係,析出均一性に及ぼすPS親水性表面の影響を調べた。実験結果から,PS表面には無Agと電気メッキに対応した2種(最大及び最小)の臨界電流密度が存在し,Ag析出に対応した電流密度範囲は50~400μA/cm2であった。PS表面を疎水性から親水性に変えるとAg析出均一性に対してプラス効果を示した。同一実験条件では疎水性PS表面は不均一な析出をもたらし,SC-1溶液で処理した親水性表面は均一析出を与えた。PSの光ルミネセンス強度及び安定性に及ぼすAgによるPS表面の不動態化効果を調べ,Ag不動態化がPL強度の低下を効果的に抑制した。過剰のAg析出は室温でのPSの可視光ルミネセンスに消光効果をもたらした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *電気化学 ,  多孔性 ,  析出 ,  銀 ,  光ルミネセンス ,  電流密度 ,  親水性 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  Ag

分類 (1件)： 電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  多孔性シリカ ,  Ag ,  析出 ,  形態 ,  均一性