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J-GLOBAL ID：201102270976106129   整理番号：11A0167923

NdNiO₃超薄膜中の金属-絶縁体転移の電場制御

Electric-Field Control of the Metal-Insulator Transition in Ultrathin NdNiO₃ Films

著者 (9件)： SCHERWITZL Raoul (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  ZUBKO Pavlo (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  LEZAMA I. Gutierrez (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  ONO Shimpei (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  ONO Shimpei (Central Res. Inst. Electric Power Ind., Tokyo, JPN) ,  MORPURGO Alberto F. (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  CATALAN Gustau (Inst. Catala de Recerca I Estudis Avancats (ICREA), Barcelona, ESP) ,  CATALAN Gustau (CSIC, Barcelona, ESP) ,  TRISCONE Jean-Marc (Univ. Geneva, Geneva, CHE)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 48  ページ： 5517-5520  発行年： 2010年12月21日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波スパッタリングによって5~10単位胞の厚さのNdNiO₃超薄膜を作製し,イオン液体1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドをゲート誘電体とする電気二重層トランジスタ(EDLT)を組立て,20~240Kの温度範囲において種々のゲート電圧下でNdNiO₃の比抵抗,キャリア移動度の変化を調べた。ゲート電圧を変化させることによってNdNiO₃の金属-絶縁体(MI)転移温度を最大50K変化することを見いだし,MI転移測定におけるEDLTの有用性を示した。

シソーラス用語： *ニッケル酸塩 ,  *ネオジム化合物 ,  *超薄膜 ,  FET【トランジスタ】 ,  トランジスタ ,  電気抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  *金属-絶縁体転移
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  電気二重層トランジスタ ,  比抵抗

分類 (4件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超薄膜 ,  金属-絶縁体転移 ,  電場制御