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J-GLOBAL ID：201102271623741749   整理番号：11A0553925

指数ドーピング透過モードGaAs光電陰極の製造過程におけるスペクトル応答の変化

Spectral response variation of exponential-doping transmission-mode GaAs photocathodes in the preparation process

著者 (7件)： ZHANG Yijun (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  NIU Jun (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  NIU Jun (Nanyang Inst. Technol., Nanyang, CHN) ,  CHANG Benkang (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  XIONG Yajuan (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  YANG Zhi (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  DU Yujie (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7658  号： Pt.2  ページ： 765841.1-765841.6  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 指数ドーピングを適用して透過モードGaAs光電陰極を作製し,高/低温活性化後及びインジウム密封後のスペクトル応答を測定する。高/低温活性化後に560nm~880nmで上昇傾向を示す高い感光性が得られた。インジウム密封後,スペクトル応答曲線は特に長波長領域で明白に低下した。表面電子逃避確率と表面ポテンシャル障壁分布の発展の関係を考慮して,密封の前と後のスペクトル応答曲線の変化の原因を二重双極子モデルに基づいて解析した。

シソーラス用語： ドーピング ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *光電陰極 ,  *応答 ,  ポテンシャル障壁 ,  インジウム ,  バンド構造
準シソーラス用語： *スペクトル応答 ,  表面ポテンシャル障壁

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 指数 ,  ドーピング ,  透過 ,  GaAs ,  光電陰極 ,  製造過程 ,  スペクトル応答