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J-GLOBAL ID：201102272366120858   整理番号：11A0842523

シリコンナノ結晶の不揮発性メモリを含む高性能のゲートオールアラウンド型多結晶シリコンナノワイヤ

High-performance gate-all-around polycrystalline silicon nanowire with silicon nanocrystals nonvolatile memory

著者 (3件)： HUNG Min-feng (Dep. of Engineering and System Sci., National Tsing Hua Univ., 30013 Hsinchu, Taiwan) ,  WU Yung-chun (Dep. of Engineering and System Sci., National Tsing Hua Univ., 30013 Hsinchu, Taiwan) ,  TANG Zih-yun (Dep. of Engineering and System Sci., National Tsing Hua Univ., 30013 Hsinchu, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 16  ページ： 162108  発行年： 2011年04月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ストレージノードとしてシリコンナノ結晶(NC)を含むゲートオールアラウンド(GAA)型多結晶シリコン(ポリ-Si)ナノワイヤ構造を基本とする不揮発性メモリ(NVM)を実証する。GAA型のポリSi-SiO₂-Si₃N₄-SiO₂-ポリSi(SONOS)から成るNVMも作製し,それらの特性を比較した。GAA型NCを基本とするNVMは,18Vにおいて1msの間にしきい値電圧は4.2Vシフトし,GAA型SONOSを基本とするNVMよりも速いことが分かった。信頼性に関する研究から,このNVMは10⁴の書き込み/消去(P/E)サイクル後でも優れた耐久性を示し,85°Cで10年経過しても電荷損失は僅かに14%程度であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  ナノ結晶 ,  *不揮発性メモリ ,  ゲート【半導体】 ,  ナノワイヤ ,  素子構造 ,  ポリシリコン ,  二酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  耐久性 ,  データ書込 ,  データ消去
準シソーラス用語： ゲートオールアラウンド ,  SONOS構造

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコンナノ結晶 ,  不揮発性メモリ ,  高性能 ,  ゲートオールアラウンド ,  多結晶シリコン ,  ナノワイヤ