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J-GLOBAL ID：201102273387424322   整理番号：11A1836364

酸化物半導体ガスセンサのトランスデューサ関数に対する基本的アプローチ

Basic approach to the transducer function of oxide semiconductor gas sensors

著者 (2件)： YAMAZOE Noboru (Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  SHIMANOE Kengo (Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 160  号： 1  ページ： 1352-1362  発行年： 2011年12月15日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近明らかになった小半導体グレインのレセプター機能と一体化した酸化物半導体ガスセンサに関するトランスデューサ関数について検討した。これらセンサにおいては,接触を通して電子伝導経路のネットワークを確立するために,グレインはその近傍と接触している。バイアス条件下では,印加電圧とドリフト電流は接触点に最も密に分散する。即ち,接触は電子に対する最も狭い通路であり,一方,グレインの他の部分はルーズなものである。グレインがサイズ,形状,ドナー密度および半導体の種類のどの観点でも均一である場合,それぞれの接触はグレインにとって電子の表面密度に比例する伝導性をもつことが分る。全体のデバイスの抵抗はこのように以前に仮定したトランスデューサ関数に一致し,電子の表面密度に逆比例する。しかしながら,グレインが均一でない場合には,各接触の伝導性を決めるのには付加因子が加わる。接触するグレインのエネルギーバンドダイアグラムは,伝導バンドエッジと接触を横切る接触ポテンシャルの生成に差異が存在することで特徴付けられる。接触ポテンシャルが電子の運動性を変調するのに重要な役割を果たし,このことが接触の抵抗を増大させるという付加的な影響を引き起こし,一方,非バイアス条件下で伝導バンドエッジの差異は両者の交換電流を確立するうえに重要な役割を果たす。接触ポテンシャルがトランスデューサ関数に及ぼす影響はむしろ複雑であり,グレインの通常の充填構造についてはほとんど消えているが,一方,いくつかの極端な充填構造については非常に顕著である。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *変換器 ,  *化合物半導体 ,  *ガスセンサ ,  受容体 ,  接触 ,  電圧 ,  *関数 ,  半導体素子 ,  密度 ,  導電性 ,  電子密度 ,  センサ ,  ドリフト ,  交換カレント ,  運動性 ,  伝導バンド ,  充填 ,  *計算 ,  *理論
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  印加電圧 ,  *酸化物半導体 ,  表面密度 ,  *理論計算

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  気体燃料の性質,組成,分析,試験  (YE02020U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物半導体 ,  ガスセンサ ,  トランスデューサ ,  関数