C-配向し,{010}面を露出したBiVO<sub>4</sub>ナノウォール薄膜:テンプレートを使用しない調製及びその高い光電気化学的性質

ZHOU Min; ZHANG Shudong; SUN Yongfu; WU Changzheng; WANG Mingtai; XIE Yi

文献

J-GLOBAL ID：201102273468833049 整理番号：11A0729252

C-配向し,{010}面を露出したBiVO₄ナノウォール薄膜:テンプレートを使用しない調製及びその高い光電気化学的性質

C-oriented and {010} Facets Exposed BiVO₄ Nanowall Films: Template-Free Fabrication and their Enhanced Photoelectrochemical Properties

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資料名：
巻： 5 号： 12 ページ： 2515-2523 発行年： 2010年
JST資料番号： W1856A ISSN： 1861-4728 CODEN： CAAJBI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

酸化インジウムスズ(ITO)の存在下に硝酸ビスマス水溶液とオルトバナジン酸ナトリウム水溶液の混合物を水熱合成条件下で加熱した。その結果,ITO表面にC-配向し,{010}面を露出したBiVO₄ナノウォール薄膜が生成した。X線回折及び走査電子顕微鏡写真によるそのキャラクタリゼーションを行うと共に,薄膜成長機構についても論じた。このナノウォール薄膜は可視光に対して鋭敏に応答し,弱い可視光を照射しながら正電位を付与すると,それに応じて光電流が発生した。しかし,可視光を遮断した場合には光電流は生じなかった。

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無機化合物一般及び元素 , 電気化学反応

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C-配向し,{010}面を露出したBiVO4ナノウォール薄膜:テンプレートを使用しない調製及びその高い光電気化学的性質

C-配向し,{010}面を露出したBiVO₄ナノウォール薄膜:テンプレートを使用しない調製及びその高い光電気化学的性質