文献

J-GLOBAL ID：201102273508477305   整理番号：11A1115221

SiC対Si-SiCパワー半導体によるインバータとDC-DCコンバータシステムの性能改善に対する可能性の評価

SiC versus Si-Evaluation of Potentials for Performance Improvement of Inverter and DC-DC Converter Systems by SiC Power Semiconductors

著者 (4件)： BIELA Juergen (ETH Zurich, Zuerich, CHE) ,  SCHWEIZER Mario (ETH Zurich, Zuerich, CHE) ,  WAFFLER Stefan (ETH Zurich, Zuerich, CHE) ,  KOLAR Johann W. (ETH Zurich, Zuerich, CHE)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 58  号： 7  ページ： 2872-2882  発行年： 2011年07月 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,炭化ケイ素(SiC),窒化ガリウム(GaN)のようなワイドバンドギャップ材料に基づくパワーデバイスの製造技術が進歩した。そして,これらの材料に基づくスイッチングデバイスは,ケイ素デバイスに比べて,動作電圧範囲およびスイッチング速度等の著しい性能改善をもたらす。その典型的な例は,インバータ駆動に利用される炭化ケイ素ダイオードに見ることができる。本報では,産業用インバータ駆動およびDC-DCコンバータのシステムレベルの性能(効率,電力密度等)に対する,新しい炭化ケイ素デバイスの影響を評価した。評価は,解析的最適化の手法とプロトタイプシステムに基づいて行ない,JFETsの考察を,SiCEDによる通常はオンおよびSemiSouthによる通常はオフの状態で,それぞれ行なった。

シソーラス用語： *電力変換器 ,  *DC-DCコンバータ ,  *炭化ケイ素 ,  *電力トランジスタ ,  インバータ ,  バンドギャップ ,  *スイッチング素子 ,  エネルギー密度 ,  *最適化
準シソーラス用語： AC/DCコンバータ ,  システム最適化 ,  パワー半導体 ,  パワー半導体スイッチ ,  ワイドバンドギャップ材料 ,  性能改善

分類 (3件)： システム最適化手法  (IA02050Z) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  Si ,  パワー半導体 ,  インバータ ,  DC-DCコンバータ ,  性能改善 ,  可能性 ,  評価