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J-GLOBAL ID：201102273539654493   整理番号：11A0102270

珪素ナノ粒子と結合したNd³⁺イオンの光ルミネセンスに及ぼす焼なましとNd濃度の影響

Effect of annealing and Nd concentration on the photoluminescence of Nd³⁺ ions coupled with silicon nanoparticles

著者 (8件)： DEBIEU O. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  BREARD D. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  PODHORODECKI A. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  ZATRYB G. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  MISIEWICZ J. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  LABBE C. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  CARDIN J. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  GOURBILLEAU F. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 11  ページ： 113114  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 珪素(Si)ナノ粒子を含むNdドープSiO₂薄膜の微細構造と光ルミネセンス(PL)特性を焼なまし温度とNd濃度の関数として報告する。Si基板上に反応性マグネトロン同時スパッタリングにより成長させた薄膜は同じ過剰Siを含む。Fourier変換赤外分光分析(FTIR)スペクトルは,Siナノ粒子形成における過剰Siの凝集故に,焼なまし時に相分離が起きることを示した。さらに,焼なまし後の膜はSiナノ粒子中に閉込められた励起子状態からのPLを示した。約0.92,1.06,1.4μmに起きるNd³⁺イオンのPLの強度は低Nd濃度で最大になり,十分に不動態化されたSiナノ粒子が形成されることを示した。FTIR測定とX線測定は,Nd取込の増加はSiO₂ホスト基質中の固有の不規則性とNd₂O₃ナノ結晶の形成故に,Nd³⁺のPLに悪い影響を与えることを示した。PL励起測定は,Nd³⁺イオンのPLが非共鳴的であり,Siナノ粒子の励起に続き,Siナノ粒子から希土類元素イオンへのエネルギー移動の新しい証拠を与えることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *半導体材料 ,  ナノ粒子 ,  ケイ素 ,  *光ルミネセンス ,  焼なまし ,  微細構造 ,  マグネトロンスパッタリング ,  FTIR分光法 ,  赤外吸収スペクトル ,  相分離 ,  励起子 ,  ナノ結晶 ,  エネルギー移動 ,  ネオジム ,  *ドーピング

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 珪素ナノ粒子 ,  イオン ,  光ルミネセンス ,  焼なまし ,  Nd