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J-GLOBAL ID：201102273572616270   整理番号：11A0340760

印加電界を持つα-アルミナにおけるイオンビームによって生じた欠陥生成

Ion-beam induced defect formation in alpha-alumina with applied electric field

著者 (5件)： HIGUCHI T ,  YASUDA K ,  TANAKA K ,  SHIIYAMA K ,  KINOSHITA C
資料名： NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
巻： 206  ページ： 103-108  発行年： 2003年 
JST資料番号： O5033A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 印加電界 ,  アルミナ ,  イオンビーム ,  欠陥